電力系統(tǒng)的常用名詞術(shù)語(yǔ)解釋
第一部分
1 電流（current）：電荷在電場(chǎng)力作用下的有序運(yùn)動(dòng)形成電流，衡量電流大小的量是電流強(qiáng)度，簡(jiǎn)稱(chēng)電流。其量值為單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)電路某一導(dǎo)體橫截面的電荷量。用符號(hào)i(t)表示，單位為A（安培）。
2 電壓(voltage)：電場(chǎng)力將單位正電荷由一點(diǎn)移到另一點(diǎn)時(shí)所做的功，是衡量電場(chǎng)力做功能力的物理量。用符號(hào)u(t )表示，單位為V（伏特）。
3 電動(dòng)勢(shì)(electromotive force)：電源中的局外力（非電場(chǎng)力）將單位正電荷從電源負(fù)極移到電源正極所做的功，是衡量局外力做功能力的物理量。用符號(hào)e(t)表示，單位為V（伏特）。
4 電位(electric potential)：在電路中任選一點(diǎn)為參考點(diǎn)，由某點(diǎn)到參考點(diǎn)之間的電壓稱(chēng)為該點(diǎn)的電位，用符號(hào)V表示，單位為V（伏特）。
5 電能(electrical energy)：在一段時(shí)間內(nèi)電場(chǎng)力所做的功稱(chēng)為電能，用符號(hào)W表示，單位為J（焦耳）。
6 戴維寧定理(Thevenin’s theorem)：在線性電路中，任何一個(gè)含有獨(dú)立源的二端網(wǎng)絡(luò)，對(duì)外電路而言，可以用一個(gè)理想電壓源與電阻串聯(lián)的電路等效代替。電壓源的電壓等于有源二端網(wǎng)絡(luò)的開(kāi)路電壓，電阻等于有源二端網(wǎng)絡(luò)中所有獨(dú)立電源置零后的等效電阻。
7 疊加定理(superposition theorem)：在線性電路中，任一支路的電流或電壓，均等于電路中各個(gè)獨(dú)立電源單獨(dú)作用時(shí)，在該支路產(chǎn)生的電流或電壓的代數(shù)和。
8 基爾霍夫電流定律(Kirchhoff’s current law簡(jiǎn)稱(chēng)KCL)：電路中任一瞬間，流入任一結(jié)點(diǎn)的支路電流之和恒等于流出該結(jié)點(diǎn)的支路電流之和?；虮硎鰹殡娐分腥我凰查g，任一結(jié)點(diǎn)的支路電流的代數(shù)和恒等于零。
9 基爾霍夫電壓定律(Kirchhoff’s voltage law簡(jiǎn)稱(chēng)KVL)：電路中任一瞬間，任一回路各元件電壓升之和恒等于電壓降之和?；虮硎鰹殡娐分腥我凰查g，任一回路各支路電壓的代數(shù)和恒等于零。
10 歐姆定律(Ohm’s law)：表示電路中電壓u、電流i和電阻R三者之間關(guān)系的基本定律，即 。
11 參考方向(reference direction)：分析電路時(shí)任意假定的電流或電壓的方向。規(guī)定了參考方向以后，電流或電壓就是一個(gè)代數(shù)量，若電流或電壓為正值，則電流或電壓的實(shí)際方向與參考方向一致；否則電流或電壓的實(shí)際方向與參考方向相反。
12 額定值(rated value)：各種電氣設(shè)備在工作時(shí)，其電壓、電流和功率都有一定的限額，這些限額表示它們的正常工作條件和工作能力。額定值一般用下標(biāo)N表示。
13 功率(power)：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)電路吸收或發(fā)出的電能。用符號(hào)P或p(t)表示，單位為W（瓦特）。
14 有功功率(active power)：瞬時(shí)功率在一個(gè)周期內(nèi)的平均值，也稱(chēng)為平均功率，用大寫(xiě)字母P表示，單位為W（瓦特）。
15 無(wú)功功率(reactive power)：以瞬時(shí)功率的幅值來(lái)衡量電感或電容元件與電源之間交換能量的規(guī)模，稱(chēng)為無(wú)功功率，用大寫(xiě)字母Q表示，單位為Var（乏爾）。
16 視在功率(apparent power)：在交流電路中，端電壓與電流的有效值的乘積，稱(chēng)為視在功率，它表示電氣設(shè)備的容量。用大寫(xiě)字母S表示，單位為V·A（伏安）。
17 瞬時(shí)功率(instantaneous power)：瞬時(shí)電壓與瞬時(shí)電流的乘積。用小寫(xiě)字母p表示，單位為W（瓦特）。
18 電阻元件(resistor)：表征電路中電能消耗的理想元件，簡(jiǎn)稱(chēng)電阻。用R表示，單位為（歐姆）。
19 電感元件(inductor)：表征電路中磁場(chǎng)能儲(chǔ)存的理想元件，簡(jiǎn)稱(chēng)電感。用L表示，單位為H（亨利）。
20 電容元件(capacitor)：表征電路中電場(chǎng)能儲(chǔ)存的理想元件，簡(jiǎn)稱(chēng)電容。用C表示，單位為F（法拉）。
理想電路元件(ideal circuit elements)：從實(shí)際元件中抽象出來(lái)的表征單一物理性質(zhì)的電路元件。
電路模型（circuit model）：用理想電路元件或它們的組合模擬實(shí)際元件的電路。
22 電壓源(voltage source)：提供一個(gè)恒定不變或交變電壓的理想電路元件，是理想電壓源的簡(jiǎn)稱(chēng)。
23 電流源(current source)：提供一個(gè)恒定不變或交變電流的理想電路元件，是理想電流源的簡(jiǎn)稱(chēng)。
24 受控源(controlled source)：電壓源的電壓或電流源的電流受其他電路的電壓或電流的控制的電源。
阻抗(impedance)：無(wú)源二端網(wǎng)絡(luò)的端口電壓 與端口電流之比，即 。阻抗是一個(gè)復(fù)數(shù)，也常稱(chēng)為復(fù)阻抗。單位為（歐姆）。
26 導(dǎo)納(admittance)：無(wú)源二端網(wǎng)絡(luò)的端口電流 與端口電壓 之比，即，它是一個(gè)復(fù)數(shù)，也常稱(chēng)為復(fù)導(dǎo)納。單位為S（西門(mén)子）。導(dǎo)納是阻抗的倒數(shù)。
27 阻抗角(impedance angle)：阻抗的輻角，是電路中電壓與電流的相位差，由電路本身參數(shù)決定。
相量(phasor)：在正弦交流電路中，表示正弦量的復(fù)數(shù)。其模表示有效值或最大值，輻角表示初相位。
29 正弦量(sinusoid)：電路中按正弦或余弦規(guī)律變化的電壓或電流等物理量。
30 相量圖(phasor diagram)：將電路中的相量以有向線段的形式畫(huà)在復(fù)平面上，稱(chēng)為相量圖。
31 有效值(effective value)：正弦交流電流通過(guò)電阻R在一個(gè)周期內(nèi)產(chǎn)生的熱量與某一直流電流I通過(guò)相同電阻R在相等時(shí)間內(nèi)所產(chǎn)生的熱量相等時(shí)，則稱(chēng)此直流電流的數(shù)值I是該交流電流的有效值。
32 感性電路(inductive circuit)：在交流電路中，如果電路中總電壓超前于總電流，則稱(chēng)電路為感性電路。
33 容性電路(capacitive circuit)：在交流電路中，如果電路中總電壓滯后于總電流，則稱(chēng)電路為容性電路。
34 阻性電路(resistive circuit)：在交流電路中，如果電路中總電壓與總電流同相，則稱(chēng)電路為阻性電路。
35 幅值(amplitude)：也稱(chēng)最大值，是正弦量在隨時(shí)間變化的整個(gè)過(guò)程中所達(dá)到的最大值。
36 角頻率(angular frequency)：正弦量的相位隨時(shí)間變化的速率。
37 瞬時(shí)值(instantaneous value)：電量在隨時(shí)間變化過(guò)程中某一時(shí)刻的數(shù)值。
38 相位(phase)：正弦量隨時(shí)間變化的角度（ ）。
39 初相位(initial phase)：正弦量的相位（）在t=0時(shí)的值。
40 相位差(phase difference)：兩個(gè)同頻率正弦量的相位之差。
41 三相交流電源(three phase source)：由三個(gè)幅值相等，頻率相同，彼此間具有120o相位差的正弦電源組成的電源。
42 三相交流電路(three phase alternating circuit)：由三相交流電源供電的交流電路。
43 三相四線制電路(three phase four wire system)：有中線的三相交流電路。
44 三相三線制電路(three phase three wire system)：無(wú)中線的三相交流電路。
45 相電壓(phase voltage)：三相交流電路中，相線與中線之間的電壓。
46 相電流(phase current)：三相交流電路中，流過(guò)每相電源或每相負(fù)載的電流。
47 線電壓(line voltage)：三相交流電路中，相線與相線之間的電壓。
48 線電流(line current)：三相交流電路中，流過(guò)相線的電流。
49 電源的星形聯(lián)結(jié)(Y-connected source)：將三相電源繞組的三個(gè)末端U2、V2、W2聯(lián)在一起，成為一個(gè)公共點(diǎn)，用N表示。由三相電源繞組的三個(gè)首端U1、V1、W1引出三根相線L1、L2、L3與外電路連接，N點(diǎn)也可以引出一根中線與外電路連接，這種接法稱(chēng)為電源的星形聯(lián)結(jié)。
第二部分
1 磁感應(yīng)強(qiáng)度 (flux density)：表示磁場(chǎng)內(nèi)某點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)弱和方向的物理量，單位是特斯拉（T）,用符號(hào)B表示。其大小可用通電導(dǎo)體在磁場(chǎng)中受力的大小來(lái)衡量，即 （該導(dǎo)體與磁場(chǎng)方向垂直），其方向與產(chǎn)生磁場(chǎng)的電流的方向遵循右螺旋關(guān)系。磁感應(yīng)強(qiáng)度也叫磁通密度。
2 磁場(chǎng)強(qiáng)度 (magnetizing force)：磁場(chǎng)強(qiáng)度H與磁感應(yīng)強(qiáng)度B的關(guān)系是 （為磁導(dǎo)率），是一種引用的物理量，用來(lái)表示磁場(chǎng)與電流之間的關(guān)系。
3 磁通 (flux)：磁感應(yīng)強(qiáng)度與垂直于磁場(chǎng)方向的面積的乘積叫做磁通，單位是韋伯（Wb）。
4 磁導(dǎo)率（permeability）：又稱(chēng)導(dǎo)磁系數(shù)，是衡量物質(zhì)的導(dǎo)磁性能的一個(gè)物理量，可通過(guò)測(cè)取同一點(diǎn)的B、H值確定。物質(zhì)按導(dǎo)磁性能的不同分為磁性物質(zhì)（或稱(chēng)鐵磁物質(zhì)，如鐵、鈷、鎳及其合金）和非磁性物質(zhì)（如銅、鋁、橡膠等絕緣材料及空氣）。非磁性物質(zhì)的磁導(dǎo)率近似等于真空的磁導(dǎo)率，而鐵磁性物質(zhì)的磁導(dǎo)率遠(yuǎn)大于真空的磁導(dǎo)率，即 >> 。
5 磁滯 (hysteresis)：鐵磁體在反復(fù)磁化的過(guò)程中，其磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化總是滯后于它的磁場(chǎng)強(qiáng)度，這種現(xiàn)象叫磁滯。
6 磁滯回線 (hysteresis loop)：在磁場(chǎng)中，鐵磁體的磁感應(yīng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系可用曲線來(lái)表示，當(dāng)磁化磁場(chǎng)作周期性變化時(shí)，鐵磁體中的磁感應(yīng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系是一條閉合線，這條閉合線叫做磁滯回線。
7 基本磁化曲線 (fundamental magnetization curve)：鐵磁體磁滯回線的形狀與磁感應(yīng)強(qiáng)度（或磁場(chǎng)強(qiáng)度）的最大值有關(guān)，在繪制磁滯回線時(shí)，如果對(duì)磁感應(yīng)強(qiáng)度（或磁場(chǎng)強(qiáng)度）最大值取不同的數(shù)值，就得到一系列的磁滯回線，連接這些回線頂點(diǎn)的曲線叫基本磁化曲線。
8 磁飽和（magnetic saturation）：在磁化曲線中，當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度增加到一定值以后，磁場(chǎng)強(qiáng)度繼續(xù)增加，而磁感應(yīng)強(qiáng)度卻增加得很少的現(xiàn)象。
9 磁滯損耗 (hysteresis loss)：放在交變磁場(chǎng)中的鐵磁體，因磁滯現(xiàn)象而產(chǎn)生一些能量損耗，從而使鐵磁體發(fā)熱，這種損耗叫磁滯損耗。
10 磁路 (magnetic circuit)：為了使較小的電流產(chǎn)生較大的磁通，常將鐵磁性材料做成一定形狀的鐵心，磁通的絕大部分經(jīng)過(guò)鐵心閉合，這種由鐵心（含氣隙）構(gòu)成的磁通的通路，稱(chēng)為磁路。
11 磁通勢(shì) （magnetomotive force）：線圈的匝數(shù)N與電流I的乘積稱(chēng)為磁通勢(shì)F。
12 磁阻 (reluctance)：磁阻定義為 ，其中為磁路的平均長(zhǎng)度，S為磁路的平均截面積， 為磁導(dǎo)率。
13 一次繞組 (primary winding)：與電源相聯(lián)的繞組，也稱(chēng)原繞組或初級(jí)繞組。
14 二次繞組 (secondary winding)：與負(fù)載相聯(lián)的繞組，也稱(chēng)副繞組或次級(jí)繞組。
15 變比 (ratio of transformation)：即為變壓器一次、二次繞組的匝數(shù)比，用k表示。實(shí)際中也常用變壓器的額定電壓之比表示變壓器的變比。
16 電壓調(diào)整率（voltage regulation）：當(dāng)變壓器外加電源電壓一定，變壓器從空載到負(fù)載運(yùn)行時(shí)，二次繞組電壓的變化程度。它反映了變壓器供電電壓的穩(wěn)定程度。公式表示為
17 額定電流（rated current）：變壓器的額定電流是指按規(guī)定工作方式（長(zhǎng)時(shí)連續(xù)工作或短時(shí)工作或間歇工作）運(yùn)行時(shí)一次、二次繞組允許通過(guò)的最大電流，是根據(jù)絕緣材料允許溫度確定的。
18 額定電壓（rated voltage）：受絕緣強(qiáng)度和允許溫升的限制，使變壓器長(zhǎng)期可靠工作的電壓。實(shí)際中，用變壓器空載時(shí)一次、二次繞組的電壓表示。
19 額定容量(rated capacity)：額定電壓與額定電流的乘積稱(chēng)為變壓器的額定容量，單位為伏·安（VA）。變壓器的額定容量反映了傳送功率的能力。
20 銅損（copper loss）：在交流鐵心線圈中，線圈電阻上的發(fā)熱損耗，稱(chēng)為銅損。
21 鐵損（core loss）：在交流鐵心線圈中，處于交變磁化下的鐵心中的功率損耗，稱(chēng)為鐵損。鐵損包含磁滯損耗和渦流損耗兩部分。
22 渦流損耗（eddy current loss）：在交變磁場(chǎng)作用下，鐵心中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，這將在垂直于磁通方向的鐵心平面內(nèi)產(chǎn)生旋渦狀的感應(yīng)電流，稱(chēng)為渦流。由渦流在鐵心內(nèi)產(chǎn)生的發(fā)熱損耗，稱(chēng)為渦流損耗。
23 同名端（common polarity terminal）：又稱(chēng)同極性端，當(dāng)電流從兩個(gè)線圈的同名端流入（流出）時(shí)，產(chǎn)生的磁通方向相同；或者當(dāng)磁通變化時(shí)，在同名端感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的極性相同。
24 效率（efficiency）：是變壓器的輸出功率P2與對(duì)應(yīng)的輸入功率P1的比值，通常用百分?jǐn)?shù)表示。
25 電磁鐵(electromagnet)：是利用電磁力實(shí)現(xiàn)某一機(jī)械動(dòng)作的多用途的電磁元件。
26 異步電動(dòng)機(jī) (induction motor)：又稱(chēng)感應(yīng)電動(dòng)機(jī)，可將交流電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能，其電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速總是低于旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的轉(zhuǎn)速（同步轉(zhuǎn)速），故稱(chēng)異步電動(dòng)機(jī)。
27 定子（stator）：電機(jī)固定不動(dòng)的部分稱(chēng)為定子，由機(jī)座和裝在機(jī)座內(nèi)的圓筒形鐵心以及其中的定子繞組組成。
28 轉(zhuǎn)子（rotor）：電機(jī)旋轉(zhuǎn)并拖動(dòng)機(jī)械負(fù)載的部分稱(chēng)為轉(zhuǎn)子。由轉(zhuǎn)子鐵心、轉(zhuǎn)子繞組和轉(zhuǎn)軸等幾部分組成。三相異步電動(dòng)機(jī)根據(jù)構(gòu)造上的不同分為兩種型式：鼠籠型和繞線型。
29 同步電動(dòng)機(jī) （synchronous motor）：是一種交流電機(jī)，可將交流電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能，其電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速為某一固定的同步轉(zhuǎn)速，故稱(chēng)同步電動(dòng)機(jī)。
30 旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng) (rotating magnetic field)：當(dāng)三相異步或同步電動(dòng)機(jī)的定子繞組中通入三相電流后，所生合成磁場(chǎng)隨電流的交變而在空間以固定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，稱(chēng)為旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。
31 同步轉(zhuǎn)速 (synchronous speed)：三相異步電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的轉(zhuǎn)速稱(chēng)為同步轉(zhuǎn)速，用 表示，（f為電源頻率，p為電機(jī)繞組的極對(duì)數(shù)）。
32 轉(zhuǎn)差率 (slip)：表示三相異步電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速（n）與旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)速（n0）相差程度的物理量，即，是表示異步電動(dòng)機(jī)運(yùn)行狀態(tài)的重要參數(shù)。
33 電磁轉(zhuǎn)矩 (electromagnetic torque)：三相異步電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子電流與旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的相互作用產(chǎn)生電磁力，使電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子產(chǎn)生電磁轉(zhuǎn)矩，其大小與轉(zhuǎn)子電流以及旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)每極磁通成正比。
34 機(jī)械特性 (mechanical characteristics)：在一定的電源電壓和轉(zhuǎn)子電阻之下，轉(zhuǎn)矩與轉(zhuǎn)差率的關(guān)系或轉(zhuǎn)速與轉(zhuǎn)矩的關(guān)系稱(chēng)為異步電動(dòng)機(jī)的機(jī)械特性。通過(guò)機(jī)械特性，可以研究電動(dòng)機(jī)的運(yùn)行性能。
35 起動(dòng)（start）：異步電動(dòng)機(jī)由靜止?fàn)顟B(tài)過(guò)渡到穩(wěn)定運(yùn)行狀態(tài)的過(guò)程稱(chēng)為異步電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)。在選擇起動(dòng)方法時(shí)應(yīng)考慮是否有足夠的起動(dòng)轉(zhuǎn)矩和起動(dòng)電流的限制。
36 調(diào)速（speed regulation）：指電動(dòng)機(jī)在同一負(fù)載下得到不同的轉(zhuǎn)速，以滿(mǎn)足實(shí)際需要。異步電動(dòng)機(jī)調(diào)速的方式一般包括：變極調(diào)速、變頻調(diào)速、變轉(zhuǎn)差調(diào)速、調(diào)壓調(diào)速和轉(zhuǎn)子電路串電阻調(diào)速等。
37 制動(dòng)（brake）：指電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)矩T與電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速n的方向相反時(shí)的情況，此時(shí)電動(dòng)機(jī)的電磁轉(zhuǎn)矩起制動(dòng)作用，使電動(dòng)機(jī)很快停下來(lái)。異步電動(dòng)機(jī)的制動(dòng)方式一般包括電源反接制動(dòng)和能耗制動(dòng)。
38 起動(dòng)系數(shù)(start coefficient)：電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)轉(zhuǎn)矩與額定轉(zhuǎn)矩之比稱(chēng)為起動(dòng)系數(shù)，它衡量了電動(dòng)機(jī)起動(dòng)能力的大小。一般異步電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)系數(shù)為1.7～2.2。
39 過(guò)載系數(shù)(overload coefficient)：電動(dòng)機(jī)的最大轉(zhuǎn)矩與額定轉(zhuǎn)矩之比稱(chēng)為過(guò)載系數(shù)，它衡量了電動(dòng)機(jī)過(guò)載能力的大小。一般異步電動(dòng)機(jī)的過(guò)載系數(shù)為1.8～2.2。
40 脈振磁場(chǎng)（pulsating magnetic field）：?jiǎn)蜗喈惒诫妱?dòng)機(jī)的定子繞組是單相繞組，工作時(shí)定子繞組接在單相交流電源上，單相電流通過(guò)單相繞組產(chǎn)生與繞組軸線一致、而大小和方向隨時(shí)間作正弦規(guī)律變化的交變磁場(chǎng)，稱(chēng)為脈振磁場(chǎng)。
41 直流電動(dòng)機(jī)(direct-current motor)：將直流電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置。
42 電樞(electric armature)：是直流電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子，包括電樞鐵心、電樞繞組和換向器等三部分，用于產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)和電磁轉(zhuǎn)矩，從而將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能，其地位是樞紐作用。
43 換向器(commutator)：亦稱(chēng)整流子，起整流作用，由楔形銅片組成，彼此絕緣。安裝于轉(zhuǎn)軸上，是直流電動(dòng)機(jī)的構(gòu)造特征。其作用是使電樞繞組中的電流方向是交變的，以保證其電磁轉(zhuǎn)矩方向始終不變。
44 電樞電勢(shì)(counter-electromotive force):電動(dòng)機(jī)電樞線圈通電后在磁場(chǎng)中受力而旋轉(zhuǎn)。當(dāng)電樞在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，線圈中也要產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，稱(chēng)為電樞電勢(shì)。由右手定則，電樞電勢(shì)的方向與電流、或外加電壓的方向總是相反，故又稱(chēng)反電動(dòng)勢(shì)。
45 勵(lì)磁方式(acceleration of motor)：是指勵(lì)磁繞組如何供電、產(chǎn)生勵(lì)磁磁通勢(shì)以建立主磁場(chǎng)的方式。根據(jù)勵(lì)磁方式不同，直流電機(jī)可分為他勵(lì)、并勵(lì)、串勵(lì)和復(fù)勵(lì)四種。
46 他勵(lì)電動(dòng)機(jī)(separated excited motor)：他勵(lì)電動(dòng)機(jī)的勵(lì)磁繞組和電樞繞組互不相連，分別由獨(dú)立電源供電。
47 并勵(lì)電動(dòng)機(jī)(shunt motor)：并勵(lì)電動(dòng)機(jī)的勵(lì)磁繞組和電樞繞組相并聯(lián)，由同一電源供電。
48 串勵(lì)電動(dòng)機(jī)(series motor)：串勵(lì)電動(dòng)機(jī)的勵(lì)磁繞組和電樞繞組相串聯(lián)，由同一電源供電。
49 復(fù)勵(lì)電動(dòng)機(jī)(compound motor)：復(fù)勵(lì)電動(dòng)機(jī)有兩個(gè)繞組，一個(gè)與電樞繞組相并聯(lián)，稱(chēng)為并勵(lì)繞組；另一個(gè)與電樞繞組相串聯(lián)，稱(chēng)為串勵(lì)繞組。然后，由同一電源供電。
50 伺服電動(dòng)機(jī)(servomotor)：又稱(chēng)執(zhí)行電動(dòng)機(jī)，是一種控制電機(jī)，可將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為軸上的角位移或角速度輸出，以驅(qū)動(dòng)控制對(duì)象，可分為交流伺服電動(dòng)機(jī)（用交流電源）和直流伺服電動(dòng)機(jī)（用直流電源）。
51 步進(jìn)電動(dòng)機(jī)(stepmotor)：又稱(chēng)脈沖電動(dòng)機(jī)，是一種控制電機(jī)，利用電磁鐵的作用原理可將電脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換為角位移。即電動(dòng)機(jī)每輸入一個(gè)脈沖信號(hào)，步進(jìn)電動(dòng)機(jī)便轉(zhuǎn)過(guò)一定角度。電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)過(guò)的總角度與輸入脈沖數(shù)成正比，故轉(zhuǎn)速與脈沖頻率成正比。
52 組合開(kāi)關(guān)（switch）：又稱(chēng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)，常用于電源的引入開(kāi)關(guān)，也可直接驅(qū)動(dòng)小容量電動(dòng)機(jī)的起停，也可控制局部照明電路。
53 按鈕(button)：通常用于接通或斷開(kāi)電動(dòng)機(jī)的控制電路。其動(dòng)作原理是將按鈕帽按下時(shí)，常閉觸點(diǎn)先斷開(kāi)，以分?jǐn)嗄骋豢刂凭€路；而常開(kāi)觸點(diǎn)后閉合，以接通另一控制電路。松開(kāi)按鈕帽，在彈簧的作用下，觸點(diǎn)的通斷狀態(tài)恢復(fù)常態(tài)。
54 行程開(kāi)關(guān)(travel switch)：又稱(chēng)限位開(kāi)關(guān)，用于控制某些機(jī)械的行程和限位。其作用原理是，生產(chǎn)設(shè)備上安裝的擋鐵觸動(dòng)行程開(kāi)關(guān)的操作機(jī)構(gòu)，使其觸頭閉合或斷開(kāi)，發(fā)出電控信號(hào)。行程開(kāi)關(guān)有機(jī)械式和電子式兩種類(lèi)型。
55 熔斷器(fuse)：是一種最簡(jiǎn)便有效的電動(dòng)機(jī)短路保護(hù)電器。一般串接于電動(dòng)機(jī)主電路或控制電路中，一旦發(fā)生短路或嚴(yán)重過(guò)載，熔斷器立即熔斷，切斷電源，避免事故擴(kuò)大。熔斷器也可用于照明電路的過(guò)載保護(hù)。
56 繼電器(relay)：是一種根據(jù)外界輸入信號(hào)（電量或非電量）來(lái)控制電路通斷的自動(dòng)切換電器。它主要用來(lái)反映各種控制信號(hào)，觸點(diǎn)通常接在控制電路中。根據(jù)所傳遞信號(hào)不同可分為：電流繼電器、電壓繼電器、熱繼電器、時(shí)間繼電器、中間繼電器等。根據(jù)動(dòng)作原理可分為：電磁式、感應(yīng)式、電子式、熱繼電器等。
57 中間繼電器（intermediate relay）：利用線圈通電控制觸點(diǎn)動(dòng)作，主要用在輔助電路中，其額定電流比較小，一般不超過(guò)5A，而觸點(diǎn)的數(shù)量較多。
58 熱繼電器（thermal relay）：利用電流的熱效應(yīng)控制觸點(diǎn)的動(dòng)作，常用于電動(dòng)機(jī)的過(guò)載保護(hù)。
59 時(shí)間繼電器（time relay）:可實(shí)現(xiàn)延時(shí)控制，種類(lèi)很多，原理結(jié)構(gòu)各不相同，常用的時(shí)間繼電器有空氣阻尼式、電動(dòng)式和電子式等。
60 斷路器（circuit breaker）：又稱(chēng)空氣開(kāi)關(guān)或自動(dòng)開(kāi)關(guān)，可實(shí)現(xiàn)短路、過(guò)載和失壓保護(hù)。
61 主電路（main circuit）:直接供電給電動(dòng)機(jī)、電流較大的電路，包括電源及其引入開(kāi)關(guān)、熔斷器、接觸器主觸點(diǎn)和電動(dòng)機(jī)等設(shè)備。
62 輔助電路（controlled circuit）:用于完成信號(hào)傳遞及邏輯控制、電流較小的電路。由于可按一定規(guī)律控制主電路，所以又稱(chēng)控制電路。通常由按扭、接觸器線圈、輔助觸點(diǎn)、繼電器等控制電器組成。
63 自鎖(self-locking)：當(dāng)起動(dòng)按鈕松開(kāi)時(shí)，由于與之并聯(lián)的接觸器輔助常開(kāi)觸點(diǎn)和主觸點(diǎn)同時(shí)閉合，因而使接觸器線圈電路仍然接通，主觸點(diǎn)保持閉合位置，電動(dòng)機(jī)繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。故稱(chēng)這個(gè)輔助觸點(diǎn)為自鎖觸點(diǎn)，完成自鎖功能。
64 接觸器(contactor)：接觸器是最常用的一種自動(dòng)開(kāi)關(guān)，主要由電磁鐵和觸點(diǎn)兩部分組成，是利用電磁吸力使觸點(diǎn)閉合或分?jǐn)嗟碾娖?。它根?jù)外部信號(hào)（如按鈕或其他電器的觸點(diǎn)的閉合或分?jǐn)啵﹣?lái)接通或斷開(kāi)帶有負(fù)載的電路。適合于頻繁操作的遠(yuǎn)距離控制,并具有失壓保護(hù)的功能，一般作為電動(dòng)機(jī)接通電源的主開(kāi)關(guān)。
65 互鎖(mutual-locking)：控制電路中，一個(gè)接觸器KMF的常閉輔助觸點(diǎn)串接在另一個(gè)接觸器KMR的閉合電路中，而KMR的一對(duì)常閉輔助觸點(diǎn)串接在KMF的線圈電路中。這兩個(gè)交叉串聯(lián)的常閉觸點(diǎn)稱(chēng)為互鎖觸點(diǎn)?；ユi使兩個(gè)接觸器不同時(shí)工作。
66 可編程控制器(programmable logic controller):即PLC，是一種數(shù)字運(yùn)算操作的電子系統(tǒng)裝置，專(zhuān)為在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。PLC采用可編程序的存儲(chǔ)器，用來(lái)在其內(nèi)部存儲(chǔ)執(zhí)行邏輯運(yùn)算、順序控制、定時(shí)/計(jì)數(shù)和算術(shù)運(yùn)算等操作的指令，并通過(guò)數(shù)字式或模擬式的輸入和輸出，控制各種類(lèi)型的機(jī)械或生產(chǎn)過(guò)程?？删幊炭刂破骷捌溆嘘P(guān)設(shè)備都應(yīng)按易于與工業(yè)控制器聯(lián)成一個(gè)整體和易于擴(kuò)充其功能的原則進(jìn)行設(shè)計(jì)。
67 軟繼電器(virtual relay)：在PLC中也稱(chēng)為編程元件，雖沿用繼電器、觸點(diǎn)、線圈等概念，但實(shí)際上并不存在對(duì)應(yīng)的物理實(shí)體，而僅僅是PLC內(nèi)部的一些存貯單元，因此常稱(chēng)為"虛擬元件"或"軟元件"，它們之間的連接就稱(chēng)為"軟連接"。
68 梯形圖(diagram)：是一種從繼電接觸器控制電路圖演變而來(lái)的圖形語(yǔ)言,借助類(lèi)似繼電器的常開(kāi)/常閉點(diǎn)、線圈以及串/并聯(lián)等術(shù)語(yǔ)和符號(hào)，根據(jù)用戶(hù)要求而連接成的表示PLC輸入和輸出之間的邏輯關(guān)系的圖形。
69 語(yǔ)句表（statement list）:用指令的助記符進(jìn)行編程的方法
第三部分
1 能將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成可在屏幕上直接觀察的圖像?，F(xiàn)代示波器不僅能定性觀察電路的動(dòng)態(tài)過(guò)程，還能定量測(cè)量各種電參數(shù)，如信號(hào)的幅度、頻率、周期、相位等。有些示波器還具有快速變換（FFT）等功能。
2 晶體管毫伏表 ( transistor millivoltmeter )：用來(lái)專(zhuān)門(mén)測(cè)量電壓的電子儀表。與一般指示儀表相比，主要優(yōu)點(diǎn)是測(cè)量頻率范圍寬（DFB217系列：5Hz—2MHz）、量程多（DFB217系列：30V-300V）。
3 信號(hào)源（function generator）：能產(chǎn)生各種不同頻率、波形、幅度信號(hào)的儀器，也稱(chēng)信號(hào)發(fā)生器。
4 電阻器的標(biāo)稱(chēng)值（nominal resistance ）：指電阻器標(biāo)注阻值和誤差的大小。標(biāo)稱(chēng)值不是連續(xù)的數(shù)值，而是由國(guó)家或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。阻值和誤差標(biāo)注的方法有文字直接標(biāo)注和色環(huán)標(biāo)注。其單位為Ω（歐）、kΩ（千歐）、MΩ（兆歐）。
5 電阻測(cè)量法（resistance measurement）：在不接通電源的情況下，使用萬(wàn)用表的歐姆檔測(cè)量電阻阻值的實(shí)驗(yàn)與檢測(cè)方法，常用于判斷導(dǎo)線或元件的通斷等。
6 電壓測(cè)量法（voltage measurement）：在電源接通的情況下，使用電壓表測(cè)量電路中有關(guān)各點(diǎn)的電位或兩點(diǎn)間電壓的實(shí)驗(yàn)與檢測(cè)方法，常用于分析和尋找故障。
7 電阻元件的允許誤差（resistance tolerance）：指電阻器和電位器的實(shí)際阻值相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)阻值的最大允許偏差范圍。
8 電位器 (regulation-resistance)：是一種具有三個(gè)端子的可變電阻器，其阻值在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。
9 電容器的標(biāo)稱(chēng)容量（nominal capacitance）：指電容器電容量的大小。標(biāo)稱(chēng)容量不是連續(xù)的數(shù)值，而是由國(guó)家或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。電容器標(biāo)注方法有文字直接標(biāo)注和色標(biāo)法。常用單位有μF（微法）和pF（皮法）。
10 電容器的耐壓值（withstand voltage of capacitor）：在技術(shù)條件所規(guī)定的溫度、壓力和濕度下，電容器長(zhǎng)期工作所承受的最大電壓。
11 色標(biāo)法 (colour code)：指用不同顏色的帶、環(huán)或點(diǎn)在產(chǎn)品表面上標(biāo)志出主要參數(shù)的標(biāo)志方法。
12 靜態(tài)調(diào)試 (static testing and troubleshooting)：電子電路中，在沒(méi)有外加信號(hào)的條件下（通常將電路信號(hào)輸入端接地，以防干擾）所進(jìn)行的直流測(cè)試和調(diào)整過(guò)程。
13 動(dòng)態(tài)調(diào)試 (dynamic testing and troubleshooting)：電子電路中，輸入端接入信號(hào)，按信號(hào)的流向逐級(jí)檢測(cè)各有關(guān)點(diǎn)的參數(shù)、波形和性能指標(biāo)是否滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。
14 直接觀察法 (direct observe) ：不使用任何儀器，只憑人的視覺(jué)、聽(tīng)覺(jué)、嗅覺(jué)以及直接觸摸元器件作為手段來(lái)尋找和分析故障的方法。
15 參數(shù)測(cè)試法 (parameters measurement)：借助儀器測(cè)試電路中各點(diǎn)參數(shù)并與理論分析結(jié)果進(jìn)行比較，如萬(wàn)用表測(cè)各點(diǎn)電壓值是否正常。
16 替代法 (replace way)：用正常元器件或已調(diào)好的單元電路取代可疑部分，判斷故障點(diǎn)。如替代后故障消除，則可確定所懷疑的元器件或單元電路有問(wèn)題。
第四部分
1 安全電壓（safe voltage）：如果通過(guò)人體的電流在0.05A以上時(shí)，就有生命危險(xiǎn)。一般說(shuō)，接觸36V以下的電壓，通過(guò)人體的電流不致超過(guò)0.05A，故把36V的電壓作為安全電壓。如果在潮濕的場(chǎng)所，安全電壓還要規(guī)定得低一些，通常是24V和12V。E50401000001
2 觸電（electric shock）：觸電是指由于不慎觸及帶電體時(shí)，因電流流過(guò)人體使其受到各種不同的傷害。觸電可分為直接觸電和間接觸電兩類(lèi)。按人體所受傷害方式的不同，觸電又可分為電擊和電傷兩種。E50402000001
3 直接觸電（direct contact electric shock）：直接觸電是指人體直接接觸到電器設(shè)備正常帶電部分引起的觸電，如單線觸電和兩線觸電。E50402000002
4 間接觸電（indirect contact electric shock）：間接觸電是指人體接觸到正常情況下不帶電、僅在事故情況下才會(huì)帶電的部分而發(fā)生的觸電。E50402000003
5 單相觸電（single phase electric shock）：在380/220V低壓供電系統(tǒng)中，人體直接接觸到一根裸露的相線時(shí)，稱(chēng)為單相觸電，也稱(chēng)單線觸電。E50402000004
6 兩相觸電（double phase electric shock）：在380/220V低壓供電系統(tǒng)中，人體直接接觸到兩根裸露的相線時(shí)，稱(chēng)為兩相觸電，也稱(chēng)兩線觸電。E50402000005
7 跨步電壓（step voltage）：人體進(jìn)入地面帶電的區(qū)域時(shí)，兩腳之間承受的電壓稱(chēng)為跨步電壓。E50402000006
8 跨步電壓觸電（step voltage electric shock）：由跨步電壓造成的觸電稱(chēng)為跨步電壓觸電。E50402000007
接地（earth）：將電氣設(shè)備的任何部分與大地作良好的電氣聯(lián)結(jié)，稱(chēng)為接地。E50403000001
10 接零（connect to neutral）：把電氣設(shè)備的外殼和電源接地的中線（零線）連接起來(lái)，稱(chēng)為接零。E50403000002
11 電擊（electrical shock）：電擊，主要是電流通過(guò)人體內(nèi)部，影響呼吸系統(tǒng)、心臟和神經(jīng)系統(tǒng)，造成人體內(nèi)部組織的破壞，甚至導(dǎo)致死亡。E50402000008
12 電傷（electrical injury）：電傷，主要是指電流的熱效應(yīng)、化學(xué)效應(yīng)、機(jī)械效應(yīng)等對(duì)人體表面或外部造成的局部傷害。E50402000009
13 工作接地（working earth）：為了保證電力系統(tǒng)安全正常運(yùn)行，將三相電源的中點(diǎn)接地，這種接地方式稱(chēng)為工作接地。這時(shí)的中線通常又稱(chēng)地線。E50403000003
14 保護(hù)接地（protective earth）：在電源的中性點(diǎn)不接地的三相三線制供電系統(tǒng)中，將用電設(shè)備的金屬外殼通過(guò)接地裝置與大地作良好的導(dǎo)電連接，這種保護(hù)措施稱(chēng)為保護(hù)接地。這一系統(tǒng)稱(chēng)為IT系統(tǒng)。E50403000004
15 保護(hù)接零（protective connect to neutral）：在電源的中性點(diǎn)接地的三相四線制供電系統(tǒng)中，將用電設(shè)備的金屬外殼與零線可靠連接，這種保護(hù)措施稱(chēng)為保護(hù)接零。這一系統(tǒng)稱(chēng)為T(mén)N系統(tǒng)。E50403000005
16 重復(fù)接地（repetitive earth）：為了保證電力系統(tǒng)安全正常運(yùn)行，除了在電源中性點(diǎn)進(jìn)行工作接地外，還要在零線的一定間隔距離及終端進(jìn)行多次接地，稱(chēng)為重復(fù)接地。E50403000006
17 漏電開(kāi)關(guān)（leakage switch）：漏電開(kāi)關(guān)是漏電電流動(dòng)作保護(hù)裝置的簡(jiǎn)稱(chēng)，主要用于低壓供電系統(tǒng)防止直接和間接接觸的單線觸電事故，同時(shí)還能起到防止由漏電引起的火災(zāi)和用于監(jiān)測(cè)或切除各種單相接地故障的作用。有的漏電開(kāi)關(guān)還兼有過(guò)載、過(guò)壓或欠壓及缺相等保護(hù)功能。E50403000007
18 靜電（static electricity）：靜電是指在宏觀范圍內(nèi)暫時(shí)失去平衡的相對(duì)靜止的正、負(fù)電荷，是由于物體間相互摩擦或感應(yīng)而產(chǎn)生的。E50404000001
19 雷電（lightning）：雷電是一種大氣放電的現(xiàn)象，是由帶有不同電荷的云層放電而產(chǎn)生的。在放電過(guò)程中產(chǎn)生強(qiáng)烈的電光（閃電）和巨響（雷鳴），同時(shí)還將產(chǎn)生強(qiáng)大的電壓和電流，雷電壓可高達(dá)幾十萬(wàn)～幾百萬(wàn)伏，雷電流可高達(dá)幾千安。時(shí)間雖短，但能量極大，足以使建筑物和電氣設(shè)備受到破壞。E50405000001
20 直擊雷（direct lightning strike）：直擊雷是指雷云與帶異性電荷的建筑物之間的放電。E50405000002
感應(yīng)雷（lighting induction）：感應(yīng)雷分靜電感應(yīng)和電磁感應(yīng)兩種：
（1）靜電感應(yīng)（electrostatic induction）：由于雷云在建筑物的頂部感應(yīng)了大量異性電荷，雷云放電后，頂部的電荷頓時(shí)失去束縛，對(duì)地呈現(xiàn)高電壓。
（2）電磁感應(yīng)（electromagnetic induction）：雷擊時(shí)巨大的雷電流在周?chē)臻g產(chǎn)生的迅速變化的強(qiáng)大電磁場(chǎng)，這種電磁場(chǎng)也會(huì)在附近的金屬導(dǎo)體上感應(yīng)出很高電壓。E50405000003
22 避雷針（lightning rod）：避雷針一般應(yīng)用在各種電氣設(shè)備、變電所、高大建筑物和煙囪上。其原理是將云中電荷引到金屬針上并安全導(dǎo)入地中，故可形象地稱(chēng)之為"引雷針"。避雷針有三個(gè)組成部分：（1）接閃器（針頭）；（2）接地引下線，或稱(chēng)引下線或接地線；（3）接地裝置。E50405000004
23 避雷線（lightning wire）：避雷線用在35kV以上的高壓輸電線上，一般架設(shè)在電力線之上，在電桿處用引下線與接地裝置連接引到大地中。其原理是避雷線高于導(dǎo)線，首先被雷電擊中，將雷電流導(dǎo)入大地。E50405000005
24 避雷器（lightning arrester）：避雷器是防止設(shè)備受到雷波、雷電的電磁作用而產(chǎn)生感應(yīng)過(guò)電壓的保護(hù)裝置。E50405000006
第五部分
1 導(dǎo)體（conductor）：容易傳導(dǎo)電流的材料稱(chēng)為導(dǎo)體，如金屬、電解液等。E50601010101
2 絕緣體（nonconductor）：幾乎不傳導(dǎo)電流的材料稱(chēng)為絕緣體，如橡膠、陶瓷、石英、塑料等。E50601010102
3 半導(dǎo)體（semiconductor）：導(dǎo)電能力隨外界條件發(fā)生顯著變化的材料稱(chēng)為半導(dǎo)體，如硅（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等。E50601010103
4 本征半導(dǎo)體（intrinsic semiconductor）：不含雜質(zhì)，完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。E50601010104
5 雜質(zhì)半導(dǎo)體（extrinsic semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)元素，其導(dǎo)電性能就會(huì)發(fā)生顯著的改變。摻有雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。因摻入雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。E50601010105
6 N型半導(dǎo)體（N-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量五價(jià)元素（如磷（P）、砷（As））的雜質(zhì)后，自由電子成為多數(shù)載流子，而空穴成為少數(shù)載流子。這種主要依靠自由電子導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為N型半導(dǎo)體。E50601010106
7 P型半導(dǎo)體（P-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量三價(jià)元素（如硼（B）、銦（In））的雜質(zhì)后，空穴成為多數(shù)載流子，而自由電子成為少數(shù)載流子。這種主要依靠空穴導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為P型半導(dǎo)體。E50601010107
8 空穴（hole）：電子掙脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子后所留下的空位稱(chēng)為空穴?？昭ǖ某霈F(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的一個(gè)重要特點(diǎn)，通?？蓪⒖昭ㄒ暈閹д姷牧Ｗ?。E50601010108
9 載流子（carrier）：在半導(dǎo)體中，將能移動(dòng)的電荷統(tǒng)稱(chēng)為載流子，包括電子和空穴。E50601010109
10 擴(kuò)散（diffusion）：在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界處，由于多數(shù)載流子濃度的差別，載流子將從濃度較高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，多數(shù)載流子的這種運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散。擴(kuò)散和漂移產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010201
11 漂移（drift）：在擴(kuò)散產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)作用下，少數(shù)載流子有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)，稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng)，簡(jiǎn)稱(chēng)漂移。漂移和擴(kuò)散產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010202
12 PN結(jié)（PN junction）：由于載流子的擴(kuò)散和漂移，在P區(qū)和N區(qū)交界處的兩側(cè)形成一個(gè)空間電荷區(qū)（space-charge region），這個(gè)空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。PN結(jié)也稱(chēng)為耗盡層或阻擋層。E50601010203
13 耗盡層（depletion layer）：在空間電荷區(qū)中，多數(shù)載流子擴(kuò)散到對(duì)方并被復(fù)合掉，或者說(shuō)多數(shù)載流子被消耗盡了，所以這個(gè)空間電荷區(qū)也稱(chēng)為耗盡層。E50601010204
14 阻擋層（barrier layer）：在空間電荷區(qū)中，由靜止電荷所建立的內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子的擴(kuò)散起阻擋作用，所以這個(gè)空間電荷區(qū)又稱(chēng)為阻擋層。E50601010205
15 偏置（bias）：在PN結(jié)上外加一定的電壓，稱(chēng)為偏置。在PN結(jié)上加正向電壓，稱(chēng)為正向偏置，簡(jiǎn)稱(chēng)正偏（forward bias）；在PN結(jié)上加反向電壓，稱(chēng)為反向偏置，簡(jiǎn)稱(chēng)反偏（reverse bias）。E50601010206
16 半導(dǎo)體二極管（PN junction diode）：在一個(gè)PN結(jié)的P區(qū)和N區(qū)分別加上相應(yīng)的電極引線，外加管殼密封制成的器件，稱(chēng)為半導(dǎo)體二極管。E50601020101
17 二極管導(dǎo)通壓降（forward voltage of a PN junction diode）：二極管正向?qū)〞r(shí)其兩端所加的電壓稱(chēng)為二極管導(dǎo)通壓降，如硅管的導(dǎo)通壓降為0.6V~0.7V，鍺管為0.2V~0.3V，砷化鎵為1.3 ~1.5V等。E50601020201
18 二極管的伏安特性（current-voltage characteristics of a PN junction diode）：二極管的端電壓與流過(guò)二極管的電流之間的關(guān)系稱(chēng)為二極管的伏安特性。E50601020202
19 死區(qū)（dead zone）：當(dāng)二極管所加的正向電壓較小時(shí)，由于外部電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)所造成的阻力，因此這時(shí)的正向電流很小，二極管呈現(xiàn)較高的電阻。這段區(qū)域稱(chēng)為“死區(qū)”。E50601020203
20 最大反向工作電壓（maximum peak reverse voltage）：指二極管安全工作時(shí)所能承受的最高反向電壓。一般規(guī)定最大反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/2~2/3。E50601020302
21 反向飽和電流（reverse saturation current）：在二極管兩端外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，由少數(shù)載流子的漂移形成很小的反向電流。在一定溫度下，一定范圍內(nèi)增加反向電壓不會(huì)使少數(shù)載流子的數(shù)目明顯增加，即反向電流與反向電壓基本無(wú)關(guān)，故此時(shí)的反向電流通常稱(chēng)為反向飽和電流。E50601020303
22 整流（rectification）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^(guò)程叫整流。E50605010001
23 濾波（filtering）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^(guò)程叫整流。將整流輸出的單向脈動(dòng)電壓變換為脈動(dòng)程度小的平滑直流電壓的過(guò)程稱(chēng)為濾波。E50605020001
24 參數(shù)（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數(shù)據(jù)稱(chēng)為參數(shù)。參數(shù)一般可從手冊(cè)中查到。E50601020301
25 穩(wěn)壓管（Zener diode）：穩(wěn)壓管又稱(chēng)齊納二極管，是工作在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管，常利用它在反向擊穿狀態(tài)下的恒壓特性構(gòu)成簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓電路。E50601020401
26 溫度系數(shù)（temperature coefficient）：表征元器件溫度敏感性的參數(shù)。通常用某個(gè)電壓變化的百分?jǐn)?shù)與元器件工作環(huán)境溫度的變化量的度數(shù)之比來(lái)表示，由元器件生產(chǎn)廠提供。當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)，元器件的有關(guān)參數(shù)值也上升，稱(chēng)為正溫度系數(shù)；反之為負(fù)溫度系數(shù)。例如穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓在6伏以上時(shí)，溫度系數(shù)為正； 6伏以下時(shí)，溫度系數(shù)為負(fù)。E50601020402
27 雙極型晶體管（ bipolar junction transistor ，BJT）：雙極型晶體管是一種具有兩種載流子（自由電子和空穴）參與導(dǎo)電，并有三個(gè)電極的電流控制型器件。E50601030001
28 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field-effect transistor ，F(xiàn)ET）：場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種具有一種載流子（自由電子或空穴）參與導(dǎo)電、并有三個(gè)電極的電壓控制型器件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類(lèi)，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（insulated gate type FET）又稱(chēng)為MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOS FET）。E50601040001
29 共發(fā)射極電路（common-emitter circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)發(fā)射極作為信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱(chēng)為共發(fā)射極電路。E50602010101
30 共集電極電路（common-collector circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)集電極作為信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、發(fā)射極是輸出端所組成的電路就稱(chēng)為共集電極電路，也稱(chēng)為射極輸出器、射極跟隨器。E50602010102
31 共基極電路（common-base circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)基極作為信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，發(fā)射極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱(chēng)為共基極電路。E50602010103
32 輸入特性（input characteristics）：輸入電壓與輸入電流之間的關(guān)系，稱(chēng)為輸入特性。一般用曲線表示，稱(chēng)為輸入特性曲線。E50601030301
33 輸出特性（output characteristics）：輸出電流與輸出電壓之間的關(guān)系，稱(chēng)為輸出特性。一般是以某一輸入量為參變量的一族曲線。E50601030302
34 電流放大系數(shù)（current amplification coefficient）：表征BJT電流控制作用的參數(shù)，例如共基極接法時(shí)的電流放大系數(shù)α、共射極接法時(shí)的電流放大系數(shù)β。E50601030201
35 集電極—基極反向飽和電流ICBO（collector –base reverse saturation current）：集電極—基極反向飽和電流指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)在反向電壓的作用下，集電區(qū)的少數(shù)載流子向基區(qū)漂移而形成的反向電流。E50601030401
36 集電極—發(fā)射極反向飽和電流ICEO（collector-emitter reverse saturation current）：集電極—發(fā)射極反向飽和電流又稱(chēng)穿透電流，是指當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間流過(guò)的電流。E50601030402
37 集電極最大允許電流ICM（maximum collector permitted current）：集電極最大允許電流是指晶體管參數(shù)的變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)（功率與電壓未超過(guò)額定值，一般指β值沒(méi)有下降到正常參數(shù)的 時(shí)）集電極電流的最大值。E50601030403
38 集電極最大允許耗散功率PCM（maximum collector permitted power dissipation）：晶體管安全工作時(shí)，集電結(jié)的功率最大值，如果超過(guò)此值，器件就可能損壞。E50601030404
39 放大（amplification）：輸出信號(hào)（電流、電壓或功率）比輸入信號(hào)大，稱(chēng)為放大。其實(shí)質(zhì)是通過(guò)電子器件的控制作用，將直流電源的能量轉(zhuǎn)化為負(fù)載所需要的電能形式。E50602000001
40 微變等效電路（small-signal equivalent circuit）：輸入微小信號(hào)時(shí)放大電路的等效電路稱(chēng)為微變等效電路。E50602030201
41 微變等效電路分析法（small-signal equivalent analysis）： 指放大電路輸入信號(hào)較小（微變信號(hào)）時(shí)，可將非線性電路等效為線性電路，借助線性電路的分析方法進(jìn)行分析，這種特定的分析方法稱(chēng)為微變等效電路分析法。E50602030202
42 靜態(tài)（quiescent state）：在放大電路中，輸入端未加輸入信號(hào)（ ）時(shí)的工作狀態(tài)稱(chēng)為放大電路的靜態(tài)。 E50602020001
43 靜態(tài)工作點(diǎn)（quiescent operating point）：靜態(tài)時(shí)，在晶體管的輸入特性和輸出特性上所對(duì)應(yīng)的工作點(diǎn)，用Q表示。E50602020002
44 靜態(tài)分析（quiescent state analysis）：確定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，即確定電路中靜態(tài)的相關(guān)參數(shù)。E50602020003
45 動(dòng)態(tài)（dynamic state）：在放大電路中，輸入端加入輸入信號(hào)（ ）時(shí)的工作狀態(tài)稱(chēng)為放大電路的動(dòng)態(tài)。E50602030001
46 動(dòng)態(tài)分析（dynamic state analysis）：確定放大電路的相關(guān)動(dòng)態(tài)參數(shù)，如電壓放大倍數(shù) 、輸入電阻和輸出電阻 等。E50602030002
47 輸入電阻 （input resistance）：放大電路對(duì)信號(hào)源（或?qū)η凹?jí)放大電路）來(lái)說(shuō)是一個(gè)負(fù)載，它可以用一個(gè)等效電阻來(lái)替代，這個(gè)等效電阻就是放大電路的輸入電阻。輸入電阻是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻。E50602030101
48 輸出電阻 （output resistance）：放大電路對(duì)負(fù)載（或?qū)蠹?jí)放大電路）來(lái)說(shuō)，可以等效為一個(gè)電源模型，該電源模型的內(nèi)阻定義為放大電路的輸出電阻。輸出電阻是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻。E50602030102
49 電壓放大倍數(shù) （voltage amplification factor）：電壓放大倍數(shù)是衡量放大電路放大輸入信號(hào)能力的基本參數(shù)，定義為輸出電壓與輸入電壓之比，即 。E50602030103
50 開(kāi)環(huán)（open-loop）：輸出信號(hào)對(duì)輸入不存在任何作用時(shí)電路所處的狀態(tài)稱(chēng)為開(kāi)環(huán)。E50603020102
51 閉環(huán)（closed-loop）：輸出信號(hào)對(duì)輸入存在作用時(shí)電路所處的狀態(tài)稱(chēng)為閉環(huán)。E50603020103
52 增益（gain）：輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之比的模量稱(chēng)為增益。包括電流增益、電壓增益和功率增益等。工程上常用以10為底的對(duì)數(shù)表達(dá)，其單位為分貝（dB）。E50602030104
53 失真（distortion）：輸出信號(hào)的波形未能完全復(fù)現(xiàn)輸入信號(hào)的波形的現(xiàn)象稱(chēng)為失真。E50602020201
54 非線性失真（nonlinear distortion）：由元器件的非線性引起的失真稱(chēng)為非線性失真，其特點(diǎn)是產(chǎn)生新的頻率。在放大電路中，非線性失真主要指由于靜態(tài)工作點(diǎn)不合適或者信號(hào)太大，使放大電路的工作范圍超出了晶體管線性區(qū)所產(chǎn)生的失真，包括截止失真和飽和失真。E50602020202
由于晶體管的截止引起的非線性失真稱(chēng)為截止失真（cut-off distortion）。
由于晶體管的飽和引起的非線性失真稱(chēng)為飽和失真（saturation distortion）。
55 交越失真（crossover distortion）：在乙類(lèi)互補(bǔ)功放電路里,兩個(gè)功放管交替工作，在信號(hào)過(guò)零前后功放管靜態(tài)工作電流接近零，功放管進(jìn)入截止區(qū)，由此造成的輸出波形失真稱(chēng)為交越失真。E50602070301
56 效率（efficiency）：輸出功率與輸入功率之比的百分?jǐn)?shù)稱(chēng)為效率。E50602070202
57 圖解法（graphical analysis）：在晶體管輸入、輸出特性曲線上，通過(guò)圖解分析放大電路的工作狀態(tài)和性能參數(shù)的方法，稱(chēng)為圖解法。E50602020203
第六部分
1 導(dǎo)體（conductor）：容易傳導(dǎo)電流的材料稱(chēng)為導(dǎo)體，如金屬、電解液等。E50601010101
2 絕緣體（nonconductor）：幾乎不傳導(dǎo)電流的材料稱(chēng)為絕緣體，如橡膠、陶瓷、石英、塑料等。E50601010102
3 半導(dǎo)體（semiconductor）：導(dǎo)電能力隨外界條件發(fā)生顯著變化的材料稱(chēng)為半導(dǎo)體，如硅（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等。E50601010103
4 本征半導(dǎo)體（intrinsic semiconductor）：不含雜質(zhì)，完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。E50601010104
5 雜質(zhì)半導(dǎo)體（extrinsic semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)元素，其導(dǎo)電性能就會(huì)發(fā)生顯著的改變。摻有雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。因摻入雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。E50601010105
6 N型半導(dǎo)體（N-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量五價(jià)元素（如磷（P）、砷（As））的雜質(zhì)后，自由電子成為多數(shù)載流子，而空穴成為少數(shù)載流子。這種主要依靠自由電子導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為N型半導(dǎo)體。E50601010106
7 P型半導(dǎo)體（P-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量三價(jià)元素（如硼（B）、銦（In））的雜質(zhì)后，空穴成為多數(shù)載流子，而自由電子成為少數(shù)載流子。這種主要依靠空穴導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為P型半導(dǎo)體。E50601010107
8 空穴（hole）：電子掙脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子后所留下的空位稱(chēng)為空穴。空穴的出現(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的一個(gè)重要特點(diǎn)，通常可將空穴視為帶正電的粒子。E50601010108
9 載流子（carrier）：在半導(dǎo)體中，將能移動(dòng)的電荷統(tǒng)稱(chēng)為載流子，包括電子和空穴。E50601010109
10 擴(kuò)散（diffusion）：在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界處，由于多數(shù)載流子濃度的差別，載流子將從濃度較高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，多數(shù)載流子的這種運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散。擴(kuò)散和漂移產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010201
11 漂移（drift）：在擴(kuò)散產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)作用下，少數(shù)載流子有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)，稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng)，簡(jiǎn)稱(chēng)漂移。漂移和擴(kuò)散產(chǎn)生方向相反的電流。E50601010202
12 PN結(jié)（PN junction）：由于載流子的擴(kuò)散和漂移，在P區(qū)和N區(qū)交界處的兩側(cè)形成一個(gè)空間電荷區(qū)（space-charge region），這個(gè)空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。PN結(jié)也稱(chēng)為耗盡層或阻擋層。E50601010203
13 耗盡層（depletion layer）：在空間電荷區(qū)中，多數(shù)載流子擴(kuò)散到對(duì)方并被復(fù)合掉，或者說(shuō)多數(shù)載流子被消耗盡了，所以這個(gè)空間電荷區(qū)也稱(chēng)為耗盡層。E50601010204
14 阻擋層（barrier layer）：在空間電荷區(qū)中，由靜止電荷所建立的內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子的擴(kuò)散起阻擋作用，所以這個(gè)空間電荷區(qū)又稱(chēng)為阻擋層。E50601010205
15 偏置（bias）：在PN結(jié)上外加一定的電壓，稱(chēng)為偏置。在PN結(jié)上加正向電壓，稱(chēng)為正向偏置，簡(jiǎn)稱(chēng)正偏（forward bias）；在PN結(jié)上加反向電壓，稱(chēng)為反向偏置，簡(jiǎn)稱(chēng)反偏（reverse bias）。E50601010206
16 半導(dǎo)體二極管（PN junction diode）：在一個(gè)PN結(jié)的P區(qū)和N區(qū)分別加上相應(yīng)的電極引線，外加管殼密封制成的器件，稱(chēng)為半導(dǎo)體二極管。E50601020101
17 二極管導(dǎo)通壓降（forward voltage of a PN junction diode）：二極管正向?qū)〞r(shí)其兩端所加的電壓稱(chēng)為二極管導(dǎo)通壓降，如硅管的導(dǎo)通壓降為0.6V~0.7V，鍺管為0.2V~0.3V，砷化鎵為1.3 ~1.5V等。E50601020201
18 二極管的伏安特性（current-voltage characteristics of a PN junction diode）：二極管的端電壓與流過(guò)二極管的電流之間的關(guān)系稱(chēng)為二極管的伏安特性。E50601020202
19 死區(qū)（dead zone）：當(dāng)二極管所加的正向電壓較小時(shí)，由于外部電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)所造成的阻力，因此這時(shí)的正向電流很小，二極管呈現(xiàn)較高的電阻。這段區(qū)域稱(chēng)為“死區(qū)”。E50601020203
20 最大反向工作電壓（maximum peak reverse voltage）：指二極管安全工作時(shí)所能承受的最高反向電壓。一般規(guī)定最大反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/2~2/3。E50601020302
21 反向飽和電流（reverse saturation current）：在二極管兩端外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，由少數(shù)載流子的漂移形成很小的反向電流。在一定溫度下，一定范圍內(nèi)增加反向電壓不會(huì)使少數(shù)載流子的數(shù)目明顯增加，即反向電流與反向電壓基本無(wú)關(guān)，故此時(shí)的反向電流通常稱(chēng)為反向飽和電流。E50601020303
22 整流（rectification）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^(guò)程叫整流。E50605010001
23 濾波（filtering）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^(guò)程叫整流。將整流輸出的單向脈動(dòng)電壓變換為脈動(dòng)程度小的平滑直流電壓的過(guò)程稱(chēng)為濾波。E50605020001
24 參數(shù)（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數(shù)據(jù)稱(chēng)為參數(shù)。參數(shù)一般可從手冊(cè)中查到。E50601020301
25 穩(wěn)壓管（Zener diode）：穩(wěn)壓管又稱(chēng)齊納二極管，是工作在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管，常利用它在反向擊穿狀態(tài)下的恒壓特性構(gòu)成簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓電路。E50601020401
26 溫度系數(shù)（temperature coefficient）：表征元器件溫度敏感性的參數(shù)。通常用某個(gè)電壓變化的百分?jǐn)?shù)與元器件工作環(huán)境溫度的變化量的度數(shù)之比來(lái)表示，由元器件生產(chǎn)廠提供。當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)，元器件的有關(guān)參數(shù)值也上升，稱(chēng)為正溫度系數(shù)；反之為負(fù)溫度系數(shù)。例如穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓在6伏以上時(shí)，溫度系數(shù)為正； 6伏以下時(shí)，溫度系數(shù)為負(fù)。E50601020402
27 雙極型晶體管（ bipolar junction transistor ，BJT）：雙極型晶體管是一種具有兩種載流子（自由電子和空穴）參與導(dǎo)電，并有三個(gè)電極的電流控制型器件。E50601030001
28 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field-effect transistor ，F(xiàn)ET）：場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種具有一種載流子（自由電子或空穴）參與導(dǎo)電、并有三個(gè)電極的電壓控制型器件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類(lèi)，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（insulated gate type FET）又稱(chēng)為MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOS FET）。E50601040001
29 共發(fā)射極電路（common-emitter circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)發(fā)射極作為信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱(chēng)為共發(fā)射極電路。E50602010101
30 共集電極電路（common-collector circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)集電極作為信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、發(fā)射極是輸出端所組成的電路就稱(chēng)為共集電極電路，也稱(chēng)為射極輸出器、射極跟隨器。E50602010102
31 共基極電路（common-base circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)基極作為信號(hào)的輸入、輸出回路的公共端，發(fā)射極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱(chēng)為共基極電路。E50602010103
32 輸入特性（input characteristics）：輸入電壓與輸入電流之間的關(guān)系，稱(chēng)為輸入特性。一般用曲線表示，稱(chēng)為輸入特性曲線。E50601030301
33 輸出特性（output characteristics）：輸出電流與輸出電壓之間的關(guān)系，稱(chēng)為輸出特性。一般是以某一輸入量為參變量的一族曲線。E50601030302
34 電流放大系數(shù)（current amplification coefficient）：表征BJT電流控制作用的參數(shù)，例如共基極接法時(shí)的電流放大系數(shù)α、共射極接法時(shí)的電流放大系數(shù)β。E50601030201
35 集電極—基極反向飽和電流ICBO（collector –base reverse saturation current）：集電極—基極反向飽和電流指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)在反向電壓的作用下，集電區(qū)的少數(shù)載流子向基區(qū)漂移而形成的反向電流。E50601030401
36 集電極—發(fā)射極反向飽和電流ICEO（collector-emitter reverse saturation current）：集電極—發(fā)射極反向飽和電流又稱(chēng)穿透電流，是指當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間流過(guò)的電流。E50601030402
37 集電極最大允許電流ICM（maximum collector permitted current）：集電極最大允許電流是指晶體管參數(shù)的變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)（功率與電壓未超過(guò)額定值，一般指β值沒(méi)有下降到正常參數(shù)的 時(shí)）集電極電流的最大值。E50601030403
38 集電極最大允許耗散功率PCM（maximum collector permitted power dissipation）：晶體管安全工作時(shí)，集電結(jié)的功率最大值，如果超過(guò)此值，器件就可能損壞。E50601030404
39 放大（amplification）：輸出信號(hào)（電流、電壓或功率）比輸入信號(hào)大，稱(chēng)為放大。其實(shí)質(zhì)是通過(guò)電子器件的控制作用，將直流電源的能量轉(zhuǎn)化為負(fù)載所需要的電能形式。E50602000001
40 微變等效電路（small-signal equivalent circuit）：輸入微小信號(hào)時(shí)放大電路的等效電路稱(chēng)為微變等效電路。E50602030201
41 微變等效電路分析法（small-signal equivalent analysis）： 指放大電路輸入信號(hào)較?。ㄎ⒆冃盘?hào)）時(shí)，可將非線性電路等效為線性電路，借助線性電路的分析方法進(jìn)行分析，這種特定的分析方法稱(chēng)為微變等效電路分析法。E50602030202
42 靜態(tài)（quiescent state）：在放大電路中，輸入端未加輸入信號(hào)（ ）時(shí)的工作狀態(tài)稱(chēng)為放大電路的靜態(tài)。 E50602020001
43 靜態(tài)工作點(diǎn)（quiescent operating point）：靜態(tài)時(shí)，在晶體管的輸入特性和輸出特性上所對(duì)應(yīng)的工作點(diǎn)，用Q表示。E50602020002
44 靜態(tài)分析（quiescent state analysis）：確定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，即確定電路中靜態(tài)的相關(guān)參數(shù)。E50602020003
45 動(dòng)態(tài)（dynamic state）：在放大電路中，輸入端加入輸入信號(hào)（ ）時(shí)的工作狀態(tài)稱(chēng)為放大電路的動(dòng)態(tài)。E50602030001
46 動(dòng)態(tài)分析（dynamic state analysis）：確定放大電路的相關(guān)動(dòng)態(tài)參數(shù)，如電壓放大倍數(shù) 、輸入電阻和輸出電阻 等。E50602030002
47 輸入電阻 （input resistance）：放大電路對(duì)信號(hào)源（或?qū)η凹?jí)放大電路）來(lái)說(shuō)是一個(gè)負(fù)載，它可以用一個(gè)等效電阻來(lái)替代，這個(gè)等效電阻就是放大電路的輸入電阻。輸入電阻是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻。E50602030101
48 輸出電阻 （output resistance）：放大電路對(duì)負(fù)載（或?qū)蠹?jí)放大電路）來(lái)說(shuō)，可以等效為一個(gè)電源模型，該電源模型的內(nèi)阻定義為放大電路的輸出電阻。輸出電阻是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻。E50602030102
49 電壓放大倍數(shù) （voltage amplification factor）：電壓放大倍數(shù)是衡量放大電路放大輸入信號(hào)能力的基本參數(shù)，定義為輸出電壓與輸入電壓之比，即 。E50602030103
50 開(kāi)環(huán)（open-loop）：輸出信號(hào)對(duì)輸入不存在任何作用時(shí)電路所處的狀態(tài)稱(chēng)為開(kāi)環(huán)。E50603020102
51 閉環(huán)（closed-loop）：輸出信號(hào)對(duì)輸入存在作用時(shí)電路所處的狀態(tài)稱(chēng)為閉環(huán)。E50603020103
52 增益（gain）：輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之比的模量稱(chēng)為增益。包括電流增益、電壓增益和功率增益等。工程上常用以10為底的對(duì)數(shù)表達(dá)，其單位為分貝（dB）。E50602030104
53 失真（distortion）：輸出信號(hào)的波形未能完全復(fù)現(xiàn)輸入信號(hào)的波形的現(xiàn)象稱(chēng)為失真。E50602020201
54 非線性失真（nonlinear distortion）：由元器件的非線性引起的失真稱(chēng)為非線性失真，其特點(diǎn)是產(chǎn)生新的頻率。在放大電路中，非線性失真主要指由于靜態(tài)工作點(diǎn)不合適或者信號(hào)太大，使放大電路的工作范圍超出了晶體管線性區(qū)所產(chǎn)生的失真，包括截止失真和飽和失真。E50602020202
由于晶體管的截止引起的非線性失真稱(chēng)為截止失真（cut-off distortion）。
由于晶體管的飽和引起的非線性失真稱(chēng)為飽和失真（saturation distortion）。
55 交越失真（crossover distortion）：在乙類(lèi)互補(bǔ)功放電路里,兩個(gè)功放管交替工作，在信號(hào)過(guò)零前后功放管靜態(tài)工作電流接近零，功放管進(jìn)入截止區(qū)，由此造成的輸出波形失真稱(chēng)為交越失真。E50602070301
56 效率（efficiency）：輸出功率與輸入功率之比的百分?jǐn)?shù)稱(chēng)為效率。E50602070202
57 圖解法（graphical analysis）：在晶體管輸入、輸出特性曲線上，通過(guò)圖解分析放大電路的工作狀態(tài)和性能參數(shù)的方法，稱(chēng)為圖解法。E50602020203
61 耦合（coupling）：在多級(jí)放大電路中，相鄰兩級(jí)放大電路之間的連接稱(chēng)為耦合。E50602060101
62 阻容耦合（resistance-capacitance coupling）：在多級(jí)放大電路中，相鄰兩級(jí)放大電路之間通過(guò)電阻、電容連接的方式稱(chēng)為阻容耦合。E50602060102
63 變壓器耦合（transformer coupling）：在多級(jí)放大電路中，相鄰兩級(jí)放大電路之間通過(guò)變壓器傳遞信號(hào)的方式稱(chēng)為變壓器耦合。E50602060103
64 直接耦合（direct coupling）：在多級(jí)放大電路中，相鄰兩級(jí)放大電路之間直接連接的方式稱(chēng)為直接耦合。E50602060104
65 光電耦合（photoelectric coupling）：利用光電效應(yīng)進(jìn)行放大器之間信號(hào)傳遞的方式稱(chēng)為光電耦合。E50602060105
66 光電效應(yīng)（photoeffect）：指可見(jiàn)光、紅外線或紫外線在某些物質(zhì)上照射而引起的電子發(fā)射的過(guò)程。例如某些半導(dǎo)體材料受到光照時(shí)，其材料的電導(dǎo)率顯著增加。E50602060106
67 零點(diǎn)漂移（zero drift）：零點(diǎn)漂移是指在放大電路中，當(dāng)輸入端無(wú)輸入信號(hào)時(shí)，輸出端的電壓受外界因素影響偏離初始值，在初值上下漂動(dòng)的（不穩(wěn)定的）現(xiàn)象，簡(jiǎn)稱(chēng)零漂。E50603010101
70 虛短（virtual short）：工作在線性區(qū)域的集成運(yùn)算放大器，其兩個(gè)輸入端之間的電壓通常接近于零，即同相端的電位近似等于反相端的電位，這種近似短接，其實(shí)并未短接的現(xiàn)象稱(chēng)為虛短路，簡(jiǎn)稱(chēng)“虛短”。E50603010302
71 虛地（virtual ground）：工作在線性區(qū)域的反相輸入運(yùn)算放大器，因同相輸入端接地，根據(jù)“虛短”的結(jié)論，其反相輸入端的電位接近于“地”電位，其實(shí)并未接地，將這種現(xiàn)象稱(chēng)之為“虛地”。E50603010303
72 虛斷（virtual break）：工作在線性區(qū)域的理想運(yùn)算放大器，由于其輸入電阻無(wú)窮大，同相輸入端和反相輸入端的輸入電流幾乎為零，這種相當(dāng)于斷路，其實(shí)并不能斷路的狀態(tài)稱(chēng)之為“虛斷”。E50603010304
74 集成運(yùn)算放大器（operational amplifier）：一種增益極高的多級(jí)直接耦合放大器，是一種重要模擬集成電路。E50603010102
84 復(fù)合晶體管（compound-connected transistor）：將兩只或多只三極管的電極通過(guò)適當(dāng)連接，作為一個(gè)管子來(lái)使用，即組成復(fù)合晶體管，或稱(chēng)達(dá)林頓（Darlington）管。E50602070203
85 自激振蕩（oscillation）：當(dāng)放大電路的輸入端無(wú)外加信號(hào)，而它的輸出端仍有一定頻率和幅度的信號(hào)輸出，這種現(xiàn)象稱(chēng)為自激振蕩。工程上常利用正反饋產(chǎn)生自激振蕩。E50604010001
86 選頻網(wǎng)絡(luò)（frequency-selective network）：利用網(wǎng)絡(luò)的諧振特性，將信號(hào)中與網(wǎng)絡(luò)諧振頻率相等的成分輸出給負(fù)載，而將其他頻率的信號(hào)加以抑制，具有該功能的網(wǎng)絡(luò)稱(chēng)為選頻網(wǎng)絡(luò)。E50604010101
87 夾斷電壓 （pinch-off voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，耗盡型MOS管中，使漏電流等于某一微小值時(shí)，柵—源極間所加的偏壓就是夾斷電壓。增強(qiáng)型MOS管無(wú)此參數(shù)。E50601040301
88 開(kāi)啟電壓 （threshold voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，增強(qiáng)型MOS管開(kāi)始導(dǎo)通（漏電流出現(xiàn)）的最小的柵源電壓值就是開(kāi)啟電壓。耗盡型MOS管無(wú)此參數(shù)。E50601040302
89 飽和漏極電流 （saturation drain current）：耗盡型MOS管在柵源電壓為零（即 ）的條件下，管子發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流稱(chēng)為飽和漏極電流。增強(qiáng)型MOS管無(wú)此參數(shù)。E50601040303
90 低頻跨導(dǎo) （low-frequency transconductance）：在低頻條件下，在漏源電壓為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量（）與引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量（ ）之比稱(chēng)為跨導(dǎo)，即 。E50601040304
91 N溝道（N-channel）：通常把P型襯底表面形成的N型薄層稱(chēng)為反型層，該反型層形成漏、源之間的N型導(dǎo)電溝道，簡(jiǎn)稱(chēng)N溝道。E50601040102
92 P溝道（P-channel）：通常把N型襯底表面形成的P型薄層稱(chēng)為反型層，該反型層形成漏、源之間的P型導(dǎo)電溝道，簡(jiǎn)稱(chēng)P溝道。E50601040103
93 增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（enhancement type FET）：指一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在其柵壓為零時(shí)漏極電流為零，即沒(méi)有導(dǎo)電溝道。依靠外加?xùn)艍旱恼蛟黾樱纬筛猩鷾系?，使漏極電流逐漸增加。這種導(dǎo)電溝道從無(wú)到有的過(guò)程稱(chēng)為增強(qiáng)。具有這種工作特點(diǎn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。E50601040104
94 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管（depletion type FET）：指一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在其柵壓為零并且漏極電壓一定時(shí)，就有較大的漏極電流，即存在導(dǎo)電溝道。隨外加?xùn)艍旱姆聪蛟黾?，漏極電流逐漸減小。這種導(dǎo)電溝道從有到無(wú)的性質(zhì)稱(chēng)為耗盡。具有這種工作特點(diǎn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管。E50601040105
95 轉(zhuǎn)移特性（transfer characteristics）：轉(zhuǎn)移特性表征了在一定的下，與之間的關(guān)系：它是柵源電壓 對(duì)漏極電流 的控制作用的體現(xiàn)。E50601040201
96 電力電子技術(shù)（power electronics）：電力電子技術(shù)是一門(mén)介于電力、電子和自動(dòng)控制三大技術(shù)領(lǐng)域之間的邊沿學(xué)科，或者說(shuō)是以電力為對(duì)象的電子技術(shù)。它是利用電力半導(dǎo)體器件進(jìn)行電能變換和控制的技術(shù)，其應(yīng)用已滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。E50606000001
97 晶閘管（thyristor）：又稱(chēng)可控硅整流器（SCR），是一種大功率的四層三端半導(dǎo)體器件，習(xí)慣叫做可控硅。后又派生的器件如快速可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅。所有這些器件統(tǒng)稱(chēng)為晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管。通常所說(shuō)的可控硅就是普通晶閘管，所有派生器件則屬于特殊晶閘管。E5060601000198 可控整流（controlled rectification）：在晶閘管承受正向電壓的時(shí)間內(nèi)，通過(guò)改變觸發(fā)脈沖相位從而改變晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)控制整流輸出電壓的大小，這種整流方式稱(chēng)為可控整流。
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